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[속보] 중국 창신반도체, 엔지니어 다수가 삼성전자 출신 한국인으로 드러나.

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<iframe width="360" height="640" src="//www.youtube.com/embed/P6BCEIogT0c" frameborder="0" allowfullscreen=""></iframe><br><br><br><br>며칠 전에 중국 상하이 주식거래소에 상장한 중국 창신메모리 CXMT가<br><br>삼성전자 DS부문(반도체) 엔지니어들을 상대로 두 당 15억원 이상씩 주고 인재유출 및 기술유출에 성공함.<br><br>창신메모리가 삼성전자 털어먹은건 중국의 대 한국 산업스파이 작전 성공 사례 중 하나라고 함.<br><br>그래서 지금 삼성전자랑 SK 하이닉스 주식들이 폭락하는 와중에<br><br>창신메모리 주식에 돈이 몰리는 이유가<br><br>삼성전자에서 유출된 매국노 한국인 엔지니어들이<br><br>창신메모리에서 삼성전자에서 유출한 기술로 삼성전자 동급 수율을 보장하기 때문임.<br><br><br><br>창신메모리($CXMT ) 기술유출 주동자 및 조직 실체<br><br><br>주모자 : 전직 삼성전자 부장·연구원급 핵심 인력<br><br><br>• 김 모 씨 (전 삼성전자 부장 / CXMT 개발실장):<br><br>삼성전자에서 D램 공정 개발에 관여했던 인력<br><br>2016년 CXMT 설립 직후 개발실장으로 영입되어 10나노급 D램 기술 확보를 위한 핵심 인력 영입을 주도.<br><br>2026년 4월 파기환송심에서 징역 6년4개월·벌금 2억원 선고.<br><br><br>• 전 모 씨 (전 삼성전자 연구원 / CXMT 초기 개발 참여):<br><br>삼성전자의 10나노급 D램 핵심 공정정보(PRP 등 수백 단계) 를 자필 노트(12장)에 옮겨 적어 CXMT 이직 시 유출.<br><br>2025년 구속기소, 2026년 4월 1심에서 징역 7년 선고.<br><br><br>• 양 모 씨 (전 삼성전자 임원 / CXMT 2기 개발실장):<br><br>18나노급 D램 개발 전체를 총괄. 신 모 씨(공정개발 책임자), 권 모 씨(실무총괄)와 함께 2025년 10월 1일 구속기소.<br><br><br>- 조직적 유출 수법과 관련자 구성<br><br>• 전직 삼성전자·SK하이닉스 엔지니어 다수: 삼성전자 대비 3~5배 수준(15억~30억원)의 급여를 받고 CXMT로 이직.<br><br>• 위장회사를 통한 입사: 구속기소된 핵심 인력들이 위장회사를 거쳐 CXMT에 합류.<br><br>• 보안 회피 정황: 출국금지·체포 대비 암호 전파 등 사전에 수사 대응을 계획.<br><br>• 협력업체 경유 유출: 반도체 장비업체 유진테크 등을 통해 SK하이닉스 관련 기술까지 추가로 확보된 정황.<br><br><br>• 피해 규모: 삼성전자 매출 감소액 2024년 기준 약 5조원, 향후 국가 경제 피해는 수십조원대로 검찰 추산.<br><br><br>• 이 사건과 별도로 CXMT는 2026년 7월 상하이 커촹반에 상장, 세계 D램 시장 점유율은 2025년 1분기 3%→2026년 1분기 8%로 상승(세계 4위).

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