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정치
中 EUV 장비 독자 개발 성공?…프로토타입 가동설에 업계 '술렁' [반도체레이다]
공정성장
2026-02-02
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ASML 독점 체제에 도전장…시제품 테스트 단계 진입 보고
"광원 생성 성공" vs "양산까진 산 넘어 산"
큰 박스 모양의 EUV 스캐너. [사진=ASML]
[디지털데일리 배태용기자]중국이 첨단 반도체 제조의 핵심인 극자외선(EUV) 노광장비 시제품을 개발했다는 소식이 전해지며 글로벌 반도체 업계가 요동치고 있다. 네덜란드 ASML이 사실상 독점해 온 기술 장벽에 균열이 생길지 주목되지만 실제 양산까지는 갈 길이 멀다는 신중론도 팽팽하다.
2일(현지시간) 로이터 등 외신에 따르면 중국은 최근 자체 기술로 제작한 EUV 노광장비 프로토타입을 완성하고 고도의 보안 시설에서 성능 테스트를 진행 중인 것으로 알려졌다. EUV는 7나노미터(nm) 이하 미세 공정의 필수 장비로 그동안 중국은 미국의 수출 규제로 인해 장비 도입이 원천 차단된 상태였다.
이번 소식은 그간 서방 전문가들의 예측을 깨는 것이라 파장이 크다. 올해 초 크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 중국의 EUV 독자 개발 가능성에 대해 "수많은 시간이 걸릴 것"이라며 사실상 불가능에 무게를 뒀다.
다만 업계에서는 시제품 가동과 실제 '반도체 양산'은 전혀 다른 차원의 문제라고 지적한다. EUV 장비는 10만 개 이상의 부품과 초정밀 거울 시스템이 완벽하게 맞물려야 하는 '인류 공학의 결정체'로 불린다. ASML 역시 상용화에만 17년 넘는 시간과 천문학적인 자금을 쏟아부었다.
현재 중국의 프로토타입은 극자외선 광원을 생성하는 데 성공한 수준으로 파악된다. 이를 이용해 실제 작동하는 칩을 웨이퍼 단위로 균일하게 찍어내기까지는 수년의 보완 작업이 더 필요할 것이라는 분석이 지배적이다.
그럼에도 불구하고 이번 성과는 중국 정부가 추진해온 '반도체 자립'의 가시적 결과물이라는 점에서 의미가 적지 않다. 중국은 최대 파운드리인 SMIC와 국가 연구소 등을 총동원해왔다.
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